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IG-S 陶瓷实心型
IG-S 系列采用陶瓷实心非感性工艺，搭载 HXO 专利陶瓷区域导通技术（Peeling Area Conduction Technology，CN 113016042 A），实现行业领先的 40kV…
AEC-Q200
RoHS
REACH
ISO 9001
IG-S 系列采用陶瓷实心非感性工艺，搭载 HXO 专利陶瓷区域导通技术（Peeling Area Conduction Technology，CN 113016042 A），实现行业领先的 40kV…
IG-S 系列采用陶瓷实心非感性工艺，搭载 HXO 专利陶瓷区域导通技术（Peeling Area Conduction Technology，CN 113016042 A），实现行业领先的 40kV 脉冲耐压、350°C 极限工作温度和 <0.1μH 的寄生电感。面向高性能赛车、涡轮增压汽车、军用/航空和工业极端环境。
| 参数项 | 规格 | 备注 |
|---|---|---|
| 标称阻值范围 | 1kΩ ~ 20kΩ | E系列标准值，非标可定制 |
| 最常用阻值 | 5kΩ~10kΩ / 10kΩ~15kΩ | 高性能/工业应用 |
| 额定功率 | 2W / 3W / 5W / 7W / 10W | 25°C 环境温度下 |
| 最高脉冲耐压 | 40kV（峰值） | 专利陶瓷区域导通技术 |
| 连续工作电压 | 最高 28kV | AC/DC |
| 工作温度范围 | -55°C ~ +350°C | 存储：-55°C ~ +400°C |
| 温度系数 (TCR) | -900 ± 300 ppm/°C (NTC) | 负温度系数，冷启动优势 |
| 公差等级 | K(±10%) / M(±20%) | 可筛选 ±5% |
| 绝缘电阻 | ≥1,000 MΩ (500V DC) | 高温后 ≥500 MΩ |
| 寄生电感 | <0.1 μH | 无感，宽频纯阻性 |
IG-S通过AEC-Q200完整级认证（Full Grade），覆盖全部测试项目，而IG-C/IG-F为标准级认证。IG-S还额外通过350°C极限高温测试和40kV脉冲测试，这是标准级测试不覆盖的严苛条件。
NTC意味着温度升高时阻值降低，正好补偿点火线圈高温下铜线电阻增大的趋势，使整体点火能量更稳定。冷启动时阻值较高，帮助快速建立初始点火能量。
HXO专利陶瓷区域导通技术（Peeling Area Conduction Technology），通过精密控制陶瓷基体表面导通区域的形状和分布，实现40kV超高脉冲耐压和<0.1μH的超低寄生电感。这是HXO独有的核心技术，使IG-S在性能上对标甚至超越进口旗舰品牌。